| PART |
Description |
Maker |
| Q65110A2464 Q65110A2975 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4557 Q65111A1142 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4232 Q65110A8754 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH40903 SFH409 SFH409-2 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH4110 Q62702P5072 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker)
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OSRAM GmbH
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| SFH4244 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4239 Q65110A9549 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2741 SFH722112 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
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OSRAM GmbH
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| MA4EXP950M-1277T MA4EXP950M-1277 |
850 MHz - 1050 MHz RF/MICROWAVE DOUBLE BALANCED MIXER, 9.1 dB CONVERSION LOSS-MAX
Silicon Double Balanced HMIC Mixer, 850 - 1050 MHz
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MACOM[Tyco Electronics]
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| SFH4500 SFH4505 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
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OSRAM GmbH
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